- 意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。工业级晶体管STL300N4F8和车规晶体管STL305N4F8AG的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss, Crss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。MOSFET体二极管的低正向电压和快速
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意法半导体 STripFET F8 MOSFET
- 2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ（在 VGS = 10V 时），高效运行频率达到6
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意法半导体 STripFET F8 晶体管 优值系数
- 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位
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意法半导体 STripFET F8 MOSFET晶体管
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